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簡要描述:武漢科思特電化學工作站:±2A電流范圍(可擴展至5A,20A);±10V電壓范圍(可擴展至50V);±21V槽壓范圍(可擴展至200V);全浮地式測量;自由組合測試。
產(chǎn)品型號: CS150H
所屬分類:武漢科思特電化學工作站
更新時間:2024-10-10
廠商性質:經(jīng)銷商
品牌 | CorrTest/科思特 | 電位精度 | 0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV |
---|---|---|---|
恒電位范圍 | ±2.0v | 電流范圍 | 2nA~2AmA |
電流精度 | 0.1%×滿量程讀數(shù) | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
價格區(qū)間 | 面議 | 儀器種類 | 電化學工作站 |
應用領域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子 | 恒電位控制范圍 | ±10V |
電位控制精度 | 0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV | 電位靈敏度 | 10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz) |
電位上升時間 | ﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A) | 參比電極輸入阻抗 | 1012Ω||20pF |
槽壓輸出 | ±21V (可擴展至±200V) | CV和LSV掃描速度 | 0.001mV~10000V/s |
CA和CC脈沖寬度 | 0.0001~65000s | SWV頻率 | 0.001~100KHz |
AD數(shù)據(jù)采集 | 16bit@1MHz,20bit @1KHz | DA分辨率 | 16bit |
建立時間 | 1μS | 通訊接口 | USB2.0 |
外形尺寸(cm) | 36.4(W)X32.0 (D)X16.0 (H) | 恒電流控制范圍 | ±2.0A |
電流控制精度 | 0.1%×滿量程讀數(shù) | 電流靈敏度 | 1pA |
電流量程 | 2nA~2A, 共10檔 | 最大輸出電流 | 2.0A |
電流掃描增量 | 1mA @1A/mS | 電位掃描電位增量 | 0.076mV @1V/mS |
DPV和NPV脈沖寬度 | 0.0001~1000s | CV的最小電位增量 | 0.075mV |
電流與電位量程 | 自動設置 | 低通濾波器 | 8段可編程 |
儀器重量 | 6.5Kg |
武漢科思特電化學工作站采用全浮地式設計,具有出色的穩(wěn)定性和度,*硬件和功能完善的軟件,為涉及能源、材料、生命科學、環(huán)保等領域的科技工作者提供了的科研平臺。
●應用
(1)電合成、電沉積(電鍍)、陽氧化、電解等反應機理研究;
(2)電化學分析研究;
(3)能源材料(鋰離子電池、太陽能電池、燃料動力電池和超級電容器等)、*功能材料以及傳感器的性能研究;
(4)金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評價;
(5)緩蝕劑、水質穩(wěn)定劑、涂層以及陰保護效率的快速評價。
●硬件特點
雙通道相關分析器和雙通道高速16bit/高精度24bit AD轉換器
高帶寬高輸入阻抗的放大器
內置FPGA DDS信號合成器
高功率恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計
電壓控制范圍:±10V,槽壓為±21V(可擴展至±200V)
電流控制范圍:±2.0A(可擴展至20A)
電位分辨率:10μV,電流分辨率:1pA(可延伸至100fA)
●軟件特點
①數(shù)據(jù)分析
伏安曲線的平滑、積分和微分運算,計算各氧化還原峰的峰電流、峰電位和峰面積等;
化曲線的三參數(shù)或四參數(shù)動力學解析,計算Tafel斜率ba,bc,腐蝕電流密度icorr,限擴散電流、化電阻Rp和腐蝕速率等,還可由電化學噪聲譜計算功率譜密度、噪聲電阻Rn和譜噪聲電阻Rsn(f)。
②實時存儲
CS Studio實時存儲測量數(shù)據(jù),即使因斷電導致測試中斷,中斷之前的數(shù)據(jù)也會自動保存。
③定時測量
CS Studio測試軟件具有定時測量功能,對于某些需要研究體系隨時間變化特征時,可提前設好測試參數(shù)與間隔時間,讓儀器在無人值守下自動定時測量,為實驗提供方便。
●技術優(yōu)勢
①化曲線
具有線性化和Tafel化曲線測量功能,用戶可設定循環(huán)化曲線的陽回掃電流(鈍化膜擊穿電流),來確定材料的點蝕電位和保護電位,評價晶間腐蝕敏感性。軟件采用非線性擬合算法解析化曲線,可用于材料耐蝕性和緩蝕劑性能的快速評價。
②伏安分析
能完成線性掃描伏安(LSV)、循環(huán)伏安(CV)、階梯伏安(SCV)、方波伏安(SWV)、差分脈沖伏安(DPV)、交流伏安(ACV)、溶出伏安等多種電分析方法,集成峰面積、峰電流計算和標準曲線分析功能。
③電化學噪聲
采用高阻跟隨器和零阻電流計測量腐蝕體系自發(fā)的電位與電流波動,可用于點蝕、電偶腐蝕、縫隙腐蝕和應力腐蝕開裂等局部腐蝕研究。通過噪聲譜分析,可評估亞穩(wěn)態(tài)蝕點或裂紋的誘導、生長和死亡過程?;谠肼曤娮韬忘c蝕指數(shù)計算,也可用于局部腐蝕監(jiān)測。
④功率擴展
CS系列電化學工作站的電流控制范圍為±2.0A,槽壓輸出≥21V,可滿足燃料動力電池、大功率電池充放電、電化學電解或電沉積等領域的需求。采用專用的功率擴展器,大輸出電流可達20A,槽壓±200V。
⑤全浮地測量
CS系列電化學工作站采用全浮地式工作電,可用于工作電本身接地體系的電化學研究,如用于高壓釜電化學測試(釜體接地),大地中金屬構件(橋梁、混凝土鋼筋)的在線腐蝕研究等。
⑥光電測試模塊
武漢科思特電化學工作站可以與光強計、分光光度計聯(lián)用,用于光電化學測量,在進行電化學測量的同時記錄光電流或光譜響應信號。
⑦自定義方法
支持用戶自定義組合測量,用戶可以設定定時循環(huán)進行某一測試方法或多種方法的組合測試,用于無人值守下的定時自動測量;
提供API通用接口函數(shù)和開發(fā)實例,方便用戶二次開發(fā)和自定義測試方法;
提供用戶自定義腳本編寫范例,用于實現(xiàn)您*的電化學實驗技術。
硬件參數(shù)指標
恒電位控制范圍:±10V | 恒電流控制范圍:±2.0A |
電位控制精度:0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV | 電流控制精度:0.1%×滿量程讀數(shù) |
電位靈敏度:10μV(>100Hz),3μV(<10Hz) | 電流靈敏度:1pA |
電位上升時間:﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A) | 電流量程:2nA~2A,共10檔 |
參比電輸入阻抗:1012Ω||20pF | 大輸出電流:2.0A |
槽壓輸出:±21V(可擴展至±200V) | 電流掃描增量:1mA@1A/mS |
CV和LSV掃描速度:0.001mV~10000V/s | 電位掃描電位增量:0.076mV@1V/mS |
CA和CC脈沖寬度:0.0001~65000s | DPV和NPV脈沖寬度:0.0001~1000s |
SWV頻率:0.001~100KHz | CV的小電位增量:0.075mV |
AD數(shù)據(jù)采集:16bit@1MHz,20bit@1KHz | 電流與電位量程:自動設置 |
DA分辨率:16bit,建立時間:1μS | 低通濾波器:8段可編程 |
通訊接口:USB2.0 | 儀器重量:6.5Kg |
外形尺寸(cm):36.4(W)X32.0(D)X16.0(H) |
配置:
1)儀器主機1臺
2)CS Studio測試與分析軟件1套
3)模擬電解池1個
4)電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條
5)電電纜線1條
6)電腦(選配*)
CS單通道系列不同型號功能方法比較
功能方法 | CS150H | CS300H | CS310H | CS350H | |
穩(wěn)態(tài)化 | 開路電位(OCP) | ● | ● | ● | ● |
恒電位化(i-t曲線) | ● | ● | ● | ● | |
恒電流化 | ● | ● | ● | ● | |
動電位掃描(Tafel曲線) | ● | ● | ● | ● | |
動電流掃描(DGP) | ● | ● | ● | ● | |
電位掃描-階躍 | ● | ||||
暫態(tài)化 | 任意恒電位階梯波 | ● | ● | ● | ● |
任意恒電流階梯波 | ● | ● | ● | ● | |
恒電位階躍(VSTEP) | ● | ● | ● | ● | |
恒電流階躍(ISTEP) | ● | ● | ● | ● | |
計時分析 | 計時電位法(CP) | ● | ● | ● | |
計時電流法(CA) | ● | ● | ● | ||
計時電量法(CC) | ● | ● | ● | ||
伏安分析 | 線性掃描伏安(LSV) | ● | ● | ● | ● |
線性循環(huán)伏安(CV) | ● | ● | ● | ● | |
階梯循環(huán)伏安(SCV) | ● | ● | |||
方波伏安(SWV) | ● | ● | |||
差分脈沖伏安(DPV) | ● | ● | |||
常規(guī)脈沖伏安(NPV) | ● | ● | |||
差分常規(guī)脈沖伏安(DNPV) | ● | ● | |||
交流伏安(ACV) | ● | ● | |||
二次諧波交流伏安(SHACV) | ● | ● | |||
傅里葉變換交流伏安(FTACV) | ● | ● | |||
電流檢測 | 差分脈沖電流檢測(DPA) | ● | |||
雙差分脈沖電流檢測(DDPA) | ● | ||||
三脈沖電流檢測(TPA) | ● | ||||
積分脈沖電流檢測(IPAD) | ● | ||||
溶出伏安 | 電位溶出分析(PSA) | ● | ● | ||
線性掃描溶出伏安(LSSV) | ● | ● | |||
階梯溶出伏安(SCSV) | ● | ● | |||
方波溶出伏安(SWSV) | ● | ● | |||
差分脈沖溶出伏安(DPSV) | ● | ● | |||
常規(guī)脈沖溶出伏安(NPSV) | ● | ● | |||
差分常規(guī)脈沖溶出伏安(DNPSV) | ● | ● | |||
交流阻抗 | 阻抗-頻率掃描 | ● | ● | ||
阻抗-時間掃描 | ● | ● | |||
阻抗-電位掃描(Mott-Schottky曲線) | ● | ● | |||
充放電測試 | 電池充放電 | ● | ● | ● | ● |
恒電流充放電(GCD) | ● | ● | ● | ● | |
恒電位充放電 | ● | ● | ● | ● | |
恒電位間歇滴定技術(PITT) | ● | ● | ● | ● | |
恒電流間歇滴定技術(GITT) | ● | ● | ● | ● | |
雙恒測量 | 氫擴散測試(HDT) | ||||
盤環(huán)電測試 | |||||
擴展測量 | 電化學噪聲(EN) | ● | ● | ● | ● |
數(shù)字記錄儀 | ● | ● | ● | ● | |
電化學溶解/沉積 | ● | ● | ● | ● | |
控制電位電解庫倫法(BE) | ● | ● | ● | ● | |
動電位再活化法(EPR) | ● | ● | ● | ● | |
溶液電阻測量 | ● | ● | ● | ● | |
循環(huán)化曲線(CPP) | ● | ● | ● | ● |
注:
*氫擴散及旋轉盤環(huán)電測試需配置CS1002恒電位/恒電流儀或采用CS2350雙恒電位儀。
*光電測量功能用戶選配。
*產(chǎn)品3年質保。